Las próximas memorias flash serán de grafeno
Investigadores de la Universidad de Fudan en Shanghái, han desarrollado memorias flash con capacidades sin precedentes con el uso del grafeno. Bautizada como PoX, esta nueva tecnología puede escribir datos en apenas 400 picosegundos, superando por un factor de 100.000 el récord mundial anterior. La pregunta clave es: ¿cómo puede esta innovación transformar la inteligencia […]